Кт 819 транзистор параметры цоколевка

КТ819 параметры

Под КТ819 понимают целое семейство кремниевых биполярных транзисторов с n-p-n структурой.

Параметры транзистора КТ819 сильно зависят от модификации (от букв следующих после КТ819). Основных групп четыре, они образуются по тому из чего сделан корпус: пластик (КТ-28) или металл (КТ-9) и применению: гражданскому (КТ819) и военному (2Т819).

Кт 819 транзистор параметры цоколевка. Смотреть фото Кт 819 транзистор параметры цоколевка. Смотреть картинку Кт 819 транзистор параметры цоколевка. Картинка про Кт 819 транзистор параметры цоколевка. Фото Кт 819 транзистор параметры цоколевка

Характеристики КТ819 параметры которых являются общими внутри групп:

Основные технические характеристики транзисторов КТ819

ТипПредельные параметрыПараметры при T = 25°CRТ п-к, °C/ВтКорп.
IК, max, АIК и, max, АUЭБ0 max, В
при T = 25°C
PК max, ВтTп max, °CTК max, °CUКЭ (UКБ), ВIК (IЭ), АUКЭ нас, ВCК, пФCЭ, пФtвыкл, мкс
КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г1015560125100(5)5210002,51,67КТ-28
КТ819АМ, КТ819БМ, КТ819ВМ, КТ819ГМ1520510012510055210002,51КТ-9
2Т819А, 2Т819Б, 2Т819В15205100150125(5)510002,51,25КТ-9
2Т819А2, 2Т819Б2, 2Т819В21520540150100(5)(5)70020001,23,13КТ-28

В следующей таблице представлена зависимость максимально допустимого (импульсного) напряжения коллектор-эмиттер от типа транзистора КТ819:

ТипUКЭ0 гр, В
КТ819А, КТ819АМ25
КТ819Б, КТ819БМ, 2Т819В, 2Т819В240
КТ819В, КТ819ВМ, 2Т819Б, 2Т819Б260
КТ819Г, КТ819ГМ, 2Т819А, 2Т819А280

И ещё один немаловажный параметр минимальный статический коэффициент передачи тока КТ819:

Типh21Э
КТ819Г, КТ819ГМ12
КТ819А, КТ819АМ, КТ819В, КТ819ВМ15
КТ819Б, КТ819БМ, 2Т819А, 2Т819А2, 2Т819Б, 2Т819Б2, 2Т819В, 2Т819В220

КТ819 — применение

Сразу стоит упомянуть, что КТ819 имеет комплементарную пару — транзистор КТ818 с p-n-p структурой. Параметры КТ818 аналогичны параметрам КТ819 с совпадающими буквами.
И вот в паре с КТ818, КТ819 часто применялся в оконечных каскадах звуковоспроизводящей аппаратуры. Также благодаря своей дешевизне нашел применение в ключевых и линейных стабилизаторах постоянного напряжения.
КТ819 имеет серьезные минусы:

      низкий коэффициент усиления по току (от 12 до 20 в зависимости от подтипа), и это требует серьезной раскачки на предварительном каскаде;
      плохая повторяемость параметров от экземпляра к экземпляру, из-за этого чтобы подобрать две пары транзисторов по коэффициенту усиления может потребоваться перебрать целое ведро КТ819

Так что если потребуется отремонтировать отечественный усилитель, то лучше сразу покупать импортные аналоги.
Например вместо КТ819 и КТ818 в корпусе КТ-9, поставить зарубежную пару в корпусе TO-3:
MJ15001 и MJ15002 или MJ15003 и MJ15004.

В принципе аналогов много и в интернете много информации на этот счет, только вот не факт, что конкретно в этом усилителе замена подойдет. Поэтому перед заменой необходимо свериться с документацией производителя, транзистор которого собираетесь устанавливать так как от производителя к производителю у одного и того же типа транзистора могут отличатся параметры.

8 thoughts on “ КТ819 параметры ”

Не считаю, что низкий коэффициент передачи тока, данных транзисторов, являлся серьезным минусом, при использовании в выходных каскадах УМЗЧ. Скорее наоборот, особенно в экономичном режиме усиления АБ, когда часть работы выходного каскада брал на себя предварительный. К тому-же, многокаскадность позволяет использовать разнообразные цепи коррекции АЧХ. А для любых биполярных транзисторов, в таком применении, без этого никак не обойтись. А для простых, но мощных УНЧ (мегафонных, сиренных…), да, не очень подходят. Только для схематично-сложных Hi-Fi.
Разброс КПТ, при его изначальной малости, тоже довольно мал, так что подобрать пару несложно, не путайте с 825-ми и 827-ми.
По настоящему хороши 2Т818ГМ, 2Т819ГМ и их аналоги 2N2955, 2N3055.

Много «дохлых» попадается среди непользованных 818/819, с утечкой, звонящихся между коллектором и эмиттером.

Для пары КТ819 и КТ818 небольшие начальные утечки тока почти норма, и при их прямой замене на зарубежные аналоги, придется провести тщательную перенастройку всех предыдущих каскадов, включенных в обратную связь по току.
Паразитная проводимость обязательно учитывается при проектировании схем, и даже в некоторых случаях предотвращает самовозбуждение.
И если речь идет о замене транзистора в высококлассном многокаскадном УМЗЧ, то лучше будет после этого сделать настройку с помощью осциллографа и генератора низкой частоты.

Транзисторы с утечкой в выходном каскаде — ни ток покоя, ни ноль на выходе уже не выставишь без плясок с бубном.

Ну, те что в железе, действительно, были дороговаты… Правда, у радиоинженера были возможности их просто выписать на складе, сдав взамен сгоревшие, для отчетности ) А те, что пошли попозже и были одеты в пластик, дорого уже не стоили. И не потому, что так уж хуже были по параметрам, а потому, что технология производства гораздо проще и дешевле. Сегодня ситуация не изменилась — один и тот же кристалл одетый в железо стоит на порядок (!) дороже аналогичного в пластике. Это касается и отечественных и зарубежных транзисторов.

Ребята, используйте 2Т819 и никакой 2N3055 вам не понадобится!

Источник

Транзисторы КТ819 и КТ818 (А-Г, АМ. ГМ) характеристики, цоколевка (datasheet)

Кт 819 транзистор параметры цоколевка. Смотреть фото Кт 819 транзистор параметры цоколевка. Смотреть картинку Кт 819 транзистор параметры цоколевка. Картинка про Кт 819 транзистор параметры цоколевка. Фото Кт 819 транзистор параметры цоколевка

Рис. 1. Изображение транзистора КТ819 на принципиальных схемах.

Кт 819 транзистор параметры цоколевка. Смотреть фото Кт 819 транзистор параметры цоколевка. Смотреть картинку Кт 819 транзистор параметры цоколевка. Картинка про Кт 819 транзистор параметры цоколевка. Фото Кт 819 транзистор параметры цоколевка

Рис. 2. КТ819 (А. Г), 2Т819 (А2. В2) в пластиковом корпусе, внешний вид и цоколевка.

Кт 819 транзистор параметры цоколевка. Смотреть фото Кт 819 транзистор параметры цоколевка. Смотреть картинку Кт 819 транзистор параметры цоколевка. Картинка про Кт 819 транзистор параметры цоколевка. Фото Кт 819 транзистор параметры цоколевка

Рис. 3. КТ819 (АМ. ГМ), 2Т819 (А. В) в металлическом корпусе, внешний вид и цоколевка.

Основные технические характеристики транзисторов КТ819:

ПриборПредельные параметрыПараметры при T = 25°CRТ п-к, °C/Вт
при T = 25°C
IК, max, АIК и, max, АUКЭ0 гр, ВUКБ0 max, ВUЭБ0 max, ВPК max, ВтTК, °CTп max, °CTК max, °Ch21ЭUКЭ
(UКБ),
В
IК (IЭ), АUКЭ нас, ВIКБ0, мАfгр, МГцКш, дБCК, пФCЭ, пФtвкл, мксtвыкл, мкс
КТ819А1015255602512510015(5)521310002,51,67
КТ819Б1015405602512510020(5)521310002,51,67
КТ819В1015605602512510015(5)521310002,51,67
КТ819Г1015805602512510012(5)521310002,51,67
КТ819АМ152025510025125100155521310002,51
КТ819БМ152040510025125100205521310002,51
КТ819ВМ152060510025125100155521310002,51
КТ819ГМ152080510025125100125521310002,51
2Т819А15208010051002515012520(5)51310002,51,25
2Т819Б1520608051002515012520(5)51310002,51,25
2Т819В1520406051002515012520(5)51310002,51,25
2Т819А21520801005402515010020(5)(5)1370020001,23,13
2Т819Б2152060805402515010020(5)(5)1370020001,23,13
2Т819В2152040605402515010020(5)(5)1370020001,23,13

Кт 819 транзистор параметры цоколевка. Смотреть фото Кт 819 транзистор параметры цоколевка. Смотреть картинку Кт 819 транзистор параметры цоколевка. Картинка про Кт 819 транзистор параметры цоколевка. Фото Кт 819 транзистор параметры цоколевка

Рис. 4. Изображение транзистора КТ818 на принципиальных схемах.

Кт 819 транзистор параметры цоколевка. Смотреть фото Кт 819 транзистор параметры цоколевка. Смотреть картинку Кт 819 транзистор параметры цоколевка. Картинка про Кт 819 транзистор параметры цоколевка. Фото Кт 819 транзистор параметры цоколевка

Рис. 5. КТ818(А. Г), 2Т818(А-2. В-2) в пластиковом корпусе, внешний вид и цоколевка.

Кт 819 транзистор параметры цоколевка. Смотреть фото Кт 819 транзистор параметры цоколевка. Смотреть картинку Кт 819 транзистор параметры цоколевка. Картинка про Кт 819 транзистор параметры цоколевка. Фото Кт 819 транзистор параметры цоколевка

Рис. 6. КТ818(АМ. ГМ), 2Т818(А. В) в металлическом корпусе, внешний вид и цоколевка.

Основные технические характеристики транзисторов КТ818:

Источник

Транзистор КТ819Г (ГМ)

Транзистор КТ819Г согласно техническим характеристикам — это силовое биполярное низкочастотное устройство c n-p-n-структурой. Является самым мощным полупроводниковый кремниевый триодом в своей серии. Был разработан еще в советское время, специально для применения в схемах усиления, преимущественно в выходных каскадах. Например, в небезызвестных усилителях тех лет: «Одиссей-У-010», «Вега-10У-120С» и др. Также он повсеместно использовался в разнообразных источниках питания и стабилизаторах напряжения.

Более полную информацию о всей серии этих транзисторов можно прочитать в статье про КТ819.

Распиновка

У пластмассовых КТ-28, ТО-220 и новых ТО-218 гибкие выводы имеют следующее расположение (слева на право) – Э.К.Б. Средний контакт «К» в подобных упаковках всегда имеет физическое соединение с корпусом.

Технические характеристики

КТ819Г(ГМ) самые мощные транзисторы в серии. У них наибольшая, по сравнению с другими, максимальная мощность рассеивания до 60 Вт (до 100 Вт) и величина пропускаемого напряжения (до 100 В). Вместе с тем самый низкий коэффициент усиления по току (H21Э) до 12.

Максимальные параметры

Приведем предельные эксплуатационные параметры КТ819Г подробней (в скобках данные для КТ819ГМ, если значения не совпадают):

Существуют обновленные версии транзистора с маркировкой КТ819Г1. Они идентичны по своим параметрам с КТ819ГМ, поэтому в последних даташит даже указываются в одной строке. Вместе с тем группа «Г1» имеет новый корпус ТО-218 и более высокую допустимую температуру p-n-перехода (до +100 o C).

Как видно из представленных данных, максимальная рассеваемая мощность PК устройства заметно снижается если не использовать радиатор. Так, для КТ819Г при температуре окружающей среды более +25 °C она уменьшается на 0.6 Вт/°С (1 Вт/°С) с теплоотводом и на 0,015 Вт/°С (0,02 Вт/°С) без него.

Электрические параметры

Как известно, предельно допустимые значения не стоит превышать, в таких случаях с большой вероятностью выйдет из строя. Поэтому, в техописаниях кроме них приведены номинальные величины при которых допускается нормальная работа устройства. Они указываются в разделе – электрических характеристик.

Комплементарная пара

Комплементарной парой является отечественный транзистор c p-n-p-структурой КТ818Г(ГМ).

Аналоги

Чаще всего аналог КТ819Г ищут из-за выхода их из строя, в выходных каскадах старых советских усилителей, в которых он работает вместе с КТ818Г. Иногда такое происходит сразу в нескольких каналах. Обычно безуспешно перебрав большое количество таких транзисторов в поисках равного по коэффициенту усиления H21Э, останавливаются на импортных устройствах (в скобках комплементарные пары): MJ15023(MJ15022), 2SC5200 (2SA1943), TIP41(TIP42). В остальных случаях замену, в зависимости от схемы и решаемых задач, можно подобрать из любых похожих по характеристикам. Например, из зарубежных: TIP41C, 2N3055, 2N6292, BD711, MJ3001, BD243. Из отечественных: КТ834, КТ841, КТ847, КТ729А.

Производители

Основным российским производителем транзистора КТ819Г, на протяжении всех постсоветских лет, остается АО «ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ» г. Брянск. Конкуренцию ему составляет продукция ОАО «ИНТЕГРАЛ», г.Минск Республика Беларусь. Кликнув по названию компании Вы можете посмотреть и скачать её datasheet.

Источник

Характеристики транзистора КТ819

КТ819 – биполярные транзисторы n-p-n большой мощности низкой частоты.

Зарубежный аналог КТ819

Особенности

Корпусное исполнение и цоколевка КТ819

Кт 819 транзистор параметры цоколевка. Смотреть фото Кт 819 транзистор параметры цоколевка. Смотреть картинку Кт 819 транзистор параметры цоколевка. Картинка про Кт 819 транзистор параметры цоколевка. Фото Кт 819 транзистор параметры цоколевка

Характеристики транзистора КТ819

Предельные параметры КТ819

Максимально допустимый постоянный ток коллектоpа (IК max):

Максимально допустимый импульсный ток коллектоpа (IК, и max):

Граничное напряжение биполярного транзистора (UКЭ0 гр) при Тп = 25° C:

Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттеp-база при токе коллектоpа, равном нулю (UЭБ0 max) при Тп = 25° C:

Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора (PК max) при Тк = 25° C:

Максимально допустимая температура перехода (Tп max):

Максимально допустимая температура корпуса (Tк max):

Электрические характеристики транзисторов КТ819 при Тп = 25 o С

Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора (h21Э) при постоянном напряжении коллектор-база (UКБ) 5 В, при постоянном токе коллектоpа (IК) 5 А:

Напряжение насыщения коллектор-эмиттеp (UКЭ нас)

Обратный ток коллектоpа (IКБ0)

Граничная частота коэффициента передачи тока (fгр)

Емкость коллекторного перехода (CК)

Время выключения биполярного транзистора (tвыкл)

Тепловое сопротивление переход-корпус (RТ п-к)

Источник

КТ819

КТ819

Кт 819 транзистор параметры цоколевка. Смотреть фото Кт 819 транзистор параметры цоколевка. Смотреть картинку Кт 819 транзистор параметры цоколевка. Картинка про Кт 819 транзистор параметры цоколевка. Фото Кт 819 транзистор параметры цоколевка

Кт 819 транзистор параметры цоколевка. Смотреть фото Кт 819 транзистор параметры цоколевка. Смотреть картинку Кт 819 транзистор параметры цоколевка. Картинка про Кт 819 транзистор параметры цоколевка. Фото Кт 819 транзистор параметры цоколевка

Кт 819 транзистор параметры цоколевка. Смотреть фото Кт 819 транзистор параметры цоколевка. Смотреть картинку Кт 819 транзистор параметры цоколевка. Картинка про Кт 819 транзистор параметры цоколевка. Фото Кт 819 транзистор параметры цоколевка

Кт 819 транзистор параметры цоколевка. Смотреть фото Кт 819 транзистор параметры цоколевка. Смотреть картинку Кт 819 транзистор параметры цоколевка. Картинка про Кт 819 транзистор параметры цоколевка. Фото Кт 819 транзистор параметры цоколевка

КТ819 — биполярный транзистор NPN-проводимости, аналог 2N6110. Благодаря неплохим техническим характеристикам получил широкое распространение в отечественной радиотехнике.

Характеристики

ПараметрВеличина
Ucb при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс)100V
Uce при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс)80V
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А)10A
Статический коэффициент передачи тока h21э мин12
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр3.00 MHz
Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт)1.5W
КорпусКТ-28 (TO-220)

Ссылки

Смотреть что такое «КТ819» в других словарях:

КТ819Г — Фотография транзистора КТ819Г КТ819Г биполярный транзистор NPN проводимости, аналог 2N6110. Благодаря неплохим техническим характеристикам получил широкое распространение в отечественной радиотехнике. Макс. напр. к б при заданном обратном токе к … Википедия

КТ361 — Структура p n p Uce 10 25В … Википедия

Биполярные транзисторы — Обозначение биполярных транзисторов на схемах Простейшая наглядная схема устройства транзистора Биполярный транзистор трёхэлектродный полупроводниковый прибор, один из типов транзистора. Электроды подключены к трём последовательно расположенным… … Википедия

КТ3102 — Цоколевка КТ3102 КТ3102 тип кремниевого биполярного транзистора, n p n проводимости, усилительный высокочастотный маломощный с нормированным коэффициентом шума на частоте 1 кГц. Предназначены для применения в усилительных и г … Википедия

КТ3107 — Транзисторы КТ3107 КТ3107 тип кремниевого биполярного транзистора, p n p проводимости, усилительный высокочастотный маломощный с нормированным коэффициентом шума на частоте 1 кГц. Предназначены для применения в усилительных и генераторных… … Википедия

КТ815 — Цоколевка КТ815 КТ815 тип кремниевого биполярного транзистора, n p n проводимости, универсальный низкочастотный мощный транзистор. Предназначен для работы в усилителях низкой частоты, оперативных и дефференциальны … Википедия

Источник

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *