Кт 829 транзистор параметры цоколевка

Транзистор КТ829, kt829 характеристики и цоколевка (datasheet)

Технические характеристики транзисторов КТ829, kt829 с буквенными индексами А, Б, В, Г. Приведено фото транзистора КТ829, его внутренняя схема, а также схема эквивалентной замены.

Рис. 1. Изображение транзистора N-P-N структуры на принципиальных схемах.

Внешний вид и описание

Рис. 2. Внешний вид составных транзисторов КТ829.

Масса транзистора КТ829 составляет не более 2 грамм. Маркировка и обозначение типа ранзистора приводится на корпусе.

Рис. 3. Размеры корпуса и цоколевка транзистора КТ829.

Рис. 4. Электрическая схема транзистора КТ829.

Технические параметры

Таблица 1. Технические харакетристики транзисторов КТ829 с буквенными индексами А-Г.

Схема эквивалентной замены

Для замены транзистора КТ829 можно использовать пару КТ817 и КТ819, схема эквивалентного включения приведена ниже.

Рис. 5. Эквивалентная схема для замены мощного составного транзистора КТ829.

Источник

Характеристики транзистора КТ829

КТ829 – кремниевые мезапланарные составные усилительные n-p-n транзисторы большой мощности средней частоты. Применяются в переключающих устройствах, усилителях низкой частоты.

Зарубежный аналог КТ829

Перед заменой транзистора на аналогичный, внимательно ознакомтесь с характеристиками и цоколевкой аналога.

Особенности

Корпусное исполнение и цоколевка КТ829

Схема КТ829

Характеристики транзистора КТ829

Предельные параметры КТ829

Максимально допустимый постоянный ток коллектоpа (I_{К max}):

Максимально допустимый импульсный ток коллектоpа (I_{К, и max}):

Граничное напряжение биполярного транзистора (U_{КЭ0 гр}) при Т = 25° C:

Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база при токе эмиттеpа, равном нулю (U_{КБ0 max}) при Т = 25° C:

Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттеp-база при токе коллектоpа, равном нулю (U_{ЭБ0 max}) при Т = 25° C:

Максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность коллектора (P_{К, max}) при Т_к = 25° C:

Максимально допустимая температура перехода (T_{п max}):

Максимально допустимая температура корпуса (T_{к max}):

Электрические характеристики транзисторов КТ829 при Т_п = 25 o С

Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора (h_21Э) при постоянном напряжении коллектор-эмиттеp (U_КЭ) 3 В, при постоянном токе коллектоpа (I_К) 3 А:

Напряжение насыщения коллектор-эмиттеp (U_{КЭ нас})

Обратный ток коллектор-эмиттеp при заданном сопротивлении в цепи база-эмиттеp (I_КЭR)

Граничная частота коэффициента передачи тока (f_гр)

Тепловое сопротивление переход-корпус (R_{Т п-к})

Источник

Транзистор КТ829

Технические характеристики транзистор КТ829 сделали его одним из известных, мощных, составных устройств советских времен данного типа, производимый по мезапланарной технологии. Схематично сделан по схеме Дарлингтона и состоит из двух биполярных транзисторов. Имеет структуру n-p-n. Их используют в усилителях низкой частоты и электронных переключателях. Обычно встречаются в выходных каскадах автомобильных регуляторов напряжения или в схемах управления сервоприводом.

Распиновка

Производят данный транзистор в пластмассовом корпусе с жесткими выводами. Тип корпуса данного прибора — КТ-28 по ГОСТ 18472-2 (зарубежный ТО-220). Весит он не более двух грамм. Имеет следующую цоколевку: 1 — база, 2 — коллектор, 3 — эмиттер.

Очень редко встречается в пластиковом корпусе ТО-252 (КТ-89), например КТ829-А2, со схожей распиновкой. Если смотреть на маркировку указанную на корпусе, то слева на право будут — база, коллектор, эмиттер.

Характеристики

Транзистор КТ829 обладает следующими максимально допустимыми предельными эксплуатационными характеристиками:

Ниже приведены значения электрических параметров КТ829, при определенных условиях эксплуатации.

Аналоги

Транзистор КТ829А можно заменить такими зарубежными аналогами: BD267B, 2SD686, 2SD691, 2SD692, BDW23C, BDх53C, TIP122, BD263A, BD265A, BD267A, BD335, BD647, BD681. Наиболее мощным из них является TIP122. КТ829А также прекрасно заменяется отечественным аналогом КТ827, который по мощности не уступает рассматриваемому. Еще один способ заменить его, это спаять схему из двух транзисторов КТ817 и КТ819.

Можно также найти данный транзистор в старой аппаратуре, производившейся еще при СССР. Так, он точно есть в усилителях «Радиотехника У-7101 стерео», «Радиотехника У-101 стерео» и видеомагнитофоне «Электроника ВМ-12». Также данный транзистор использовался в старых советских телевизорах в модуле коррекции растра.

Комплементарная пара

Комплементарной парой для КТ829 является КТ853. У него как и у рассматриваемого устройства, ток коллектора 8 А, рассеиваемая мощность с теплоотводом 60 Вт, граничная частота передачи тока 4 МГц.

Производители

В СССР эти приборы изготавливались на Фрязинском заводе имени 50-летия СССР и возможно на Хасавюртском заводе «Эльтав». В настоящее время продолжают выпускать этот транзистор АО «Группа кремний ЭЛ», АО «Элиз» г. Фрязино, а также ЗАО «Кремний Маркетинг» г. Брянск. Кликнув по наименованию предприятия, можно скачать техническое описание (DataShet) на кт829.

Источник

Общие сведения

Транзисторы составные биполярные КТ829А (D, АМ) предназначены для использования в выходных каскадах автомобильных регуляторов напряжения, в схемах управления сервоприводом, а также в усилителях низкой частоты.

Структура условного обозначения

Условия эксплуатации

Технические характеристики

Граничное напряжение, В, для групп:
А
D
АМ

Максимально допустимое напряжение коллектор-база, В, для групп:
А
D
АМ

Максимально допустимое напряжение эмиттер-база, В

Максимально допустимый постоянный ток коллектора, А

Максимально допустимый импульсный ток коллектора, А

Максимально допустимый постоянный ток базы, А

Максимально допустимый импульсный ток базы, А

Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора, Вт

Максимально допустимая энергия вторичного пробоя, мДж

I K =2 A
L K =10 мГн
R БЭ =100 Ом

Максимально допустимая температура перехода, ° С

* Температура корпуса 25 ° С

Обратный ток коллектор-база, мА
типовой

U КБО для групп:
А – 100 В,
D – 200 В
АМ – 150 В
I Э =0

Максимальный обратный ток эмиттер-база, мА

Статический коэффициент передачи тока:
минимальный
типовой
максимальный

I K :
3 A – КД829А, D;
10 A – КД829АМ
U КЭ =3 В

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В:
минимальное
типовое
максимальное

I K :
3 A – КТ829А, D;
5 A – КТ829АМ
I Б =0,012 А

Напряжение насыщения база-эмиттер, В:
типовое
максимальное

Время выключения, мкс:
типовое
максимальное

I K :
3 А – КТ829A, D;
5 А – КТ829АМ
I Б =±0,012 А

Максимальное тепловое сопротивление
переход-корпус, ° С/Вт

U КЭ :
15 В – КТ829A, D
20 B – КТ829АМ
I K :
4 А – КТ829А, D;
3 А – КТ829АМ

* Температура корпуса 25 ° С.

В комплект поставки входят: транзисторы, этикетка (паспорт) с краткими техническими данными транзисторов, потребительская тара. Типовое количество транзисторов в единице тары 200 шт.

Источник

Составной транзистор КТ829 (n-p-n типа).

Назначение: КТ829 предназначен для применения усилителях низкой частоты, переключающих устройствах

Типы: КТ829А, КТ829Б, КТ829В, КТ829Г

Аналог КТ829: по параметрам близки TIP120, TIP121, TIP122

Комплементарная пара: по параметрам близок составной pnp транзистор КТ853

Производители: Интеграл (Беларусь), Кремний-Маркетинг (Брянск)

Цена КТ829: вывести цену (прямой запрос в интернет-магазины)

Datasheet: (подробные характеристики с графиками зависимостей параметров)

Подробные характеристики КТ829 и графики зависимостей параметров приведены в справочнике мощных транзисторов

Источник