Кт315 цоколевка и параметры

КТ315 цоколевка, КТ315 параметры, КТ315 характеристики

Транзистор КТ315 — один из самых массовых отечественных транзисторов, был запущен в производство в 1967 году. Первоначально выпускался в пластиковом корпусе КТ-13.

КТ315 цоколевка

Если расположить КТ315 маркировкой к себе выводами вниз, то левый вывод это эмиттер, центральный — коллектор, а правый — база.

Кт315 цоколевка и параметры. Смотреть фото Кт315 цоколевка и параметры. Смотреть картинку Кт315 цоколевка и параметры. Картинка про Кт315 цоколевка и параметры. Фото Кт315 цоколевка и параметры

В последствии КТ315 стал выпускаться и в корпусе КТ-26 (зарубежный аналог TO92), транзисторы в этом корпусе получили дополнительную ”1” в обозначении, например КТ315Г1. Цоколевка КТ315 в этом копусе такая же как и в КТ-13.

Кт315 цоколевка и параметры. Смотреть фото Кт315 цоколевка и параметры. Смотреть картинку Кт315 цоколевка и параметры. Картинка про Кт315 цоколевка и параметры. Фото Кт315 цоколевка и параметры

КТ315 параметры

КТ315 это маломощный кремниевый высокочастотный биполярный транзистор с n-p-n структурой. Имеет комплементарный аналог КТ361 c p-n-p структурой.
Оба этих транзистора предназначались для работы в схемах усилителей как звуковой так промежуточной и высокой частоты.
Но благодаря тому, что характеристики этого транзистора были прорывными, а стоимость ниже существующих германиевых аналогов КТ315 нашел самое широкое применение в отечественной электронной технике.

Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером (fгр.) – 250 МГц.

Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (Pкmax)

Максимально допустимый постоянный ток коллектора (Iкmax)

Постоянное напряжение база-эмиттер — 6 В.

Основные электрические параметры КТ315 которые зависят от буквы приведены в таблице.

Маркировка транзисторов КТ315 и КТ361

Именно с КТ315 началось кодированное обозначение отечественных транзисторов. Мне попадались КТ315 с полной маркировкой, но гораздо чаще с единственной буквой из названия смещенной чуть левее от центра, справа от буквы был логотип завода выпустившего транзистор. Транзисторы КТ361 тоже маркировались одной буквой, но буква располагалась по центру и слева и справа от неё были тире.

И конечно у КТ315 есть зарубежные аналоги, например: 2N2476, BSX66, TP3961, 40218.

35 thoughts on “ КТ315 цоколевка, КТ315 параметры, КТ315 характеристики ”

Да уж, легендарная рыжая пара! Попытка, завещанная легендарной личностью — а мы, пойдем другим путем. Не удалось, а жаль. Это-ж надо было додуматься, такие неудобные выводы сделать, позволяющие изгиб только в одном направлении: это, наверное, не инженерное, а политическое решение ) Но несмотря на это, а может и благодаря этому, да плюс яркий праздничный цвет… самый яркий, антуражный, стильный, брутальный и незабываемый! Я бы дал ему и Оскара и Нобелевку сразу.
После смены прикида — обыкновенная, посредственная деталь, в ряду тысяч похожих (
ЗЫ Корпус изменился потому, что производственное оборудование, со временем, заменили на импортное, а их станки на такую конфетку не рассчитаны.

Не в том была беда что выводы формовались только в одной плоскости (например в корпусах TO-247 выводы тоже плоские), а в том что они были широкие (ширина 0,95 мм, толщина 0,2 мм) и расположены близко (зазор 1,55 мм). Разводить плату было очень неудобно — дорожку между выводами не пропустишь, да и сверлить под КТ-13 нужно было сверлом 1,2 мм. Под другие компоненты хватало 1 мм или даже 0,8 мм.
КТ315 был первым отечественным транзистором изготовленным по эпитаксиально-планарной технологии, потом, через пару десятков лет он уже стал посредственным в ряду более молодых собратьев. И конечно в 80-х вместо КТ315 / КТ361 удобнее было поставить КТ208 / КТ209, КТ502 / КТ503 или КТ3102 / КТ3107 в зависимости от того какие задачи перед транзистором стояли.
И я сомневаюсь что корпус КТ-13 был отечественным изобретением, вроде как существовали японские детали в таких корпусах, так что скорее всего неудачно переняли чужой опыт…

Восток дело тонкое… В середине прошлого века шла упорная борьба сверхдержав за перераспределение сфер влияния. Кто-то, Японии — бомбы, а кто-то — технологии. А хитрые японцы, принимали любую помощь и хватали все, что давали… Потом, естественно, выбрали лучшее, а значит, технологичное. Они, люди нетворческие, победила — Техно-Логичность ) СССР им не только первый радиозавод построил, но и первый автозавод, к примеру. В дальнейшем, выпускаемые автомобили стали отличаться от наших не меньше радиодеталей. Вопрос приоритетности тут спорный, из-за интернациональной дружбы и совместности тогдашних разработок.

СССР зарубеж продавал лицензии на производство КТ315, видимо и японцы тоже купили такую. А в Польшу так вообще целую линию по производству КТ315 из Воронежа отдали. Видимо по программе поддержки стран соц лагеря.

Сомневаюсь, в Польше в конце 70-х уже всё было на BC148, BC238 и т.п.

Источник

Datasheet КТ315 (NPN, 15-60V, 50-100mA)

Кт315 цоколевка и параметры. Смотреть фото Кт315 цоколевка и параметры. Смотреть картинку Кт315 цоколевка и параметры. Картинка про Кт315 цоколевка и параметры. Фото Кт315 цоколевка и параметры

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные n-p-n усилительные высокочастотные маломощные.
Предназначены для работы в схемах усилителей высокой, промежуточной и низкой частоты.
Самый массовый транзистор, выпускавшийся в Советское время.
Комплиментарная пара – КТ361

Основные параметры КТ315

Структура : NPN
Максимально допустимый постоянный ток коллектора ( IC ):
КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315Е, КТ315Р – 100mA
КТ315Ж, КТ315И – 50mA

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер ( VCEO ):
КТ315Б, КТ315Ж 1
КТ315А – 20В
КТ315Г – 25В
КТ315В – 30В
КТ315Е, КТ315Р – 35В
КТ315Д – 40В
КТ315И60В
Статический коэффициент передачи тока ( hFE ):
КТ315А, КТ315В, КТ315Д – 20…90
КТ315Б, КТ315Г, КТ315Е – 50…350
КТ315Ж – 30…250
КТ315Р – 150…350
КТ315И – не менее 30

Источник

Транзистор КТ315

КТ315 — кремниевый транзистор, со структурой NPN, планарно-эпитаксиальный, высокочастотный, малой мощности, общепромышленного применения. Конструктивное исполнение КТ-13 и КТ-26 (TO-92).

Предназначение

Транзистор предназначен для работы в схемах усилителей высокой, промежуточной и низкой частоты, а также в схемах импульсных устройств в аппаратуре общего назначения.

Для компьютеров, станков с ЧПУ, цветных телевизоров и аудиоаппаратуры высшего класса выпускались транзисторы повышенной надежности, в их маркировке рядом с буквой присутствовала точка.

Корпус, цоколевка и размеры

Характерные особенности

Предельные эксплуатационные характеристики

ПараметрМощность рассеивания,Напряжение коллектор-эмиттер,Напряжение коллектор-база,Напряжение база-эмиттер,Ток коллектора постоянный,Температура п/п перехода,Диапазон температур внешней среды
Обозначение/ТипPC, ВтUCE, ВUCB, ВUBE, ВIC, АTJ, °С°С
КТ315А0,15252560,1120
КТ315А10,15252560,1120-45°С…+100°С
КТ315Б0,15202060,1120-60°С…+100°С
КТ315Б10,15202060,1120-45°С…+100°С
КТ315В0,15404060,1120-60°С…+100°С
КТ315В10,15404060,1120-45°С…+100°С
КТ315Г0,15353560,1120-60°С…+100°С
КТ315Г10,15353560,1120-45°С…+100°С
КТ315Д0,15404060,1120-60°С…+100°С
КТ315Д10,15404060,1120-45°С…+100°С
КТ315Е0,15353560,1120-60°С…+100°С
КТ315Е10,15353560,1120-45°С…+100°С
КТ315Ж0,1151560,05120-60°С…+100°С
КТ315Ж10,1202060,05120-45°С…+100°С
КТ315И0,1606060,05120-60°С…+100°С
КТ315И10,1606060,05120-45°С…+100°С
КТ315Н10,15202060,1120-45°С…+100°С
КТ315Р10,15353560,1120-45°С…+100°С

Электрические параметры

ПараметрТок коллектора выключенияТок эмиттера выключенияСтатический коэффициент усиленияНапряжение насыщенияНапряжение насыщенияЧастота срезаЕмкость коллектораПост. времени коллектор-ной цепи
ОбозначениеICBO, мкАIEBO, мкАhFEUCE(sat), ВUBE(sat), ВfT, МГцпФпс
Режим/ТипUCB = 10 В
IE = 0
UBE = 6 ВUCB = 10 В
IE = 1 мА
IC = 20 мА
IB = 2 мА
IC = 20 мА
IB = 2 мА
UCE = 10 В
IE = 5 мА
UCB = 10ВUCB = 10 В
IE = 5 мА
f = 5 МГц
КТ315А13020…900,41,17˂ 300
КТ315А10,5300,41˃ 2507
КТ315Б13050…3500,41,1˃ 2507˂ 500
КТ315Б10,53050…3500,41˃ 2507300…1000
КТ315В13020…900,41,1˃ 2507˂ 500
КТ315В10,53030…1200,41˃ 2507300…1000
КТ315Г13050…3500,41,1˃ 2507˂ 500
КТ315Г10,53050…3500,41˃ 2507300…1000
КТ315Д13020…9011,5˃ 2507˂ 1000
КТ315Д10,63020…900,61,1˃ 2507300…1000
КТ315Е13050…35011,5˃ 2507˂ 1000
КТ315Е10,63050…3500,61,1˃ 2507300…1000
КТ315Ж13030…2500,50,9˃ 25010˂ 1000
КТ315Ж10,63030…2500,50,9˃ 25010300…1000
КТ315И150˃ 30˃ 250
КТ315И10,650˃ 300,91,35˃ 25010300…1000
КТ315Н10,53050…3500,41˃ 2507300…1000
КТ315Р10,53150…3500,41˃ 2507300…1000

Примечание: данные в таблице действительны при температуре среды Ta = 25°C.

Маркировка

Рассмотрим транзистор КТ315 в корпусе КТ-13. Радиоэлемент имеет цифробуквенное обозначение и чаще встречается в оранжевом исполнении. В правом верхнем углу корпуса размещен знак завода-изготовителя, а в левом группа коэффициента усиления. Под условными обозначениями группы и предприятия-изготовителя указана дата выпуска.

Современный KT315 выпускается в корпусе для сквозного монтажа КТ-26 (TO-92).

Цифра «1», в конце указывает на современный КТ315 (TO-92), а предпоследняя буква «Г» на группу, к которой относится транзистор из этой серии. На основе значений параметров в группе, можно определить его основное назначение.

Аналоги

Для замены могут подойти транзисторы кремниевые, со структурой NPN, эпитаксиально-планарные, для усилителей высокой, промежуточной и низкой частоты, схем импульсных устройств и другой аппаратуры общего применения.

Отечественное производство

ТипPCUCBUCEUEBICTJfTCobhFEКорпус
КТ315, КТ315-10,1560,11202507
КТ3151
A9/B9/D9/E9/G9/V9
0,220…8020…8050,11751001520…80SOT23 (КТ-46)
КТ3153 A90,15605050,41502504,5100…300SOT23 (КТ-46А)
КТ31020,2520…5020…5050,21256100…1000TO-92 (КТ-26)

Зарубежное производство

ТипPCUCBUCEUEBICTJfTCobhFEКорпус
КТ315А0,15252560,1120250720…90КТ13
BFP719 ٭0,15252550,1120250720…90КТ13
КТ315Б0,15202060,1120250750…350КТ13
BFP720 ٭0,15202050,1120250750…350КТ13
КТ315В0,15404060,1120250720…90КТ13
BFP721 ٭0,15404050,1120250720…90КТ13
КТ315Г0,15353560,1120250750…350КТ13
BFP722 ٭0,15353550,1120250750…350КТ13
КТ315Д0,15404060,1120250720…90КТ13
2SC6410,1401550,1150400645…160TO-92
КТ315Е0,15353560,1120250750…350КТ13
2N33970,36252550,11501055…800TO-92
КТ315Ж0,1151560,05120250730…250КТ13
2SC5450,12202040,0312517560TO-92
2SC5460,12303040,0312530040TO-92
BFY37i0,15252050,11752702,3˃ 35TO-18
2SC3880,3302540,05150300220…200TO-92
КТ315И0,1606060,05120250˃ 30КТ13
2SC6340,1840400,11251404,5
2SC90140,45504550,11501503,560TO-92
BC5470,5505060,11503006110TO-92
2N39040,31604060,2135300440TO-92
КТ315Н10,15202060,1120250750…350TO-92
2SC6330,3262660,21251127TO-92
КТ315Р10,15353560,11202507150…350TO-92
BFP722 ٭0,15353550,1120250750…350КТ13

٭ изделие в настоящее время не выпускается, однако могут иметься значительные запасы.

Примечание: данные таблиц получены из даташит компаний-производителей.

Графические иллюстрации характеристик

Кт315 цоколевка и параметры. Смотреть фото Кт315 цоколевка и параметры. Смотреть картинку Кт315 цоколевка и параметры. Картинка про Кт315 цоколевка и параметры. Фото Кт315 цоколевка и параметры

Рис. 1. Внешние характеристики некоторых транзисторов семейства КТ315: зависимости коллекторного тока IC от напряжения коллектор-эмиттер UCE при различных токах базы: 0,1; 0,2; 0,3; 0,4 мА.

Кт315 цоколевка и параметры. Смотреть фото Кт315 цоколевка и параметры. Смотреть картинку Кт315 цоколевка и параметры. Картинка про Кт315 цоколевка и параметры. Фото Кт315 цоколевка и параметры

Рис. 2. Внешние характеристики некоторых транзисторов семейства КТ315: зависимости коллекторного тока IC от напряжения коллектор-эмиттер UCE при различных токах базы: 0,05; 0,1; 0,15; 0,2; 0,25; 0,3; 0,4; 0,45 мА.

Кт315 цоколевка и параметры. Смотреть фото Кт315 цоколевка и параметры. Смотреть картинку Кт315 цоколевка и параметры. Картинка про Кт315 цоколевка и параметры. Фото Кт315 цоколевка и параметры

Рис. 3. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер UCE(sat) от величины коллекторной нагрузки IC.

Характеристика снята при соотношении IC/IB = 10. Пунктиром показаны границы 95% разброса значений параметра.

Кт315 цоколевка и параметры. Смотреть фото Кт315 цоколевка и параметры. Смотреть картинку Кт315 цоколевка и параметры. Картинка про Кт315 цоколевка и параметры. Фото Кт315 цоколевка и параметры

Рис. 4. Зависимость напряжения насыщения база-эмиттер UBE(sat) от величины коллекторной нагрузки IC.

Характеристика снята при соотношении IC/IB = 10. Пунктиром показаны границы 95% разброса значений параметра.

Кт315 цоколевка и параметры. Смотреть фото Кт315 цоколевка и параметры. Смотреть картинку Кт315 цоколевка и параметры. Картинка про Кт315 цоколевка и параметры. Фото Кт315 цоколевка и параметры

Рис. 5. Зависимость для некоторых транзисторов семейства КТ315 статического коэффициента усиления hFE по току в схеме с общим эмиттером от величины тока эмиттера IE.

Характеристика снята при напряжении UCB = 10 В.

Пунктиром показаны границы 95% разброса значений параметра.

Кт315 цоколевка и параметры. Смотреть фото Кт315 цоколевка и параметры. Смотреть картинку Кт315 цоколевка и параметры. Картинка про Кт315 цоколевка и параметры. Фото Кт315 цоколевка и параметры

Рис. 6. Зависимость для некоторых транзисторов семейства КТ315 статического коэффициента усиления hFE по току в схеме с общим эмиттером от величины тока эмиттера IE.

Характеристика снята при напряжении UCB = 10 В.

Пунктиром показаны границы 95% разброса значений параметра.

Рис. 7. Зависимость модуля коэффициента усиления тока базы от тока эмиттера IE при высокой частоте f = 100 МГц.

Зависимость снята при напряжении UCE = 10В. Пунктиром показан 95% разброс результатов измерений параметра.

Рис. 8. Зависимости постоянной времени обратной связи по коллекторной цепи τС [пс] от величины напряжения коллектор-база при высокой частоте для некоторых транзисторов семейства КТ315.

Характеристика снята при токе эмиттера IE = 5 мА и частоте 5 МГц. Пунктирной линией показан 95% разброс значений измеренного параметра.

Источник

Характеристики транзистора КТ315Г

Согласно своим техническим характеристикам транзистор КТ315Г сделан по эпитаксиально-планарной технологии. Его структура n-p-n. Они используются в различных усилителях как высокой, так и низкой частоты. Также они широко использовались в преобразовательных и импульсных схемах, в электронной аппаратуре бытового и промышленного назначения, а также были полезны во многих других устройствах.

Распиновка

В советском союзе изготавливался в пластмассовом корпусе КТ-13. Кроме него в этой же упаковке производились транзисторы серии КТ361А проводимостью p-n-p. Отличались эти приборы только способом нанесения маркировки. На 315 буквенное обозначение группы указывалось в левом верхнем углу, а у 361 посередине.

Сейчас его продолжают выпускать в КТ-26 (зарубежное наименование ТО-92). Во всех корпусах цоколевка кт315г имеет такое расположение ножек: если смотреть на него со стороны маркировки, то первый слева вывод – это эмиттер, второй это коллектор и третий – база.

Технические характеристики

Основными характеристиками транзистора являются его предельно допустимые параметры. Измерения максимальных параметров можно производить при любой температуре окружающей среды, особенно рассеиваемой мощности и токов, так как кристалл не может перегреться и транзистор выходит из строя не из-за перегрева. Также для каждого параметра указываются важные рабочие параметры тестирования.

Далее приведём электрические характеристики транзистора КТ315Г. Они определялись при той же температуре, что и максимальные — +25°С. Остальные рабочие параметры, при которых производилось тестирование, приведены в таблице.

Электрические характеристики транзистора КТ315Г (при Т = +25 оC)
НазваниеОбозн.Режимы изм.минмахЕд. изм.
Граничное напр. К — ЭU кэо гpI э =5 мA125В
Обратный ток, протекающий через коллекторI кбоU КБ = 10 В1мкА
Обратный ток, перехода К — ЭI кэоU КЭ = U КЭ МАКС

R бэ = 10 кОм

1мкА
Обратный ток эмиттераI кэоU ЭБ = 5 В50мкА
Напр. насыщения К — ЭU кэ насI к =20 мA, I б =2 мA0,4В
Напр. насыщения перехода Б — ЭU бэ насI к =20 мA, I б =2 мA1В
Статический к-т усиления токаh 21эU кэ =10 B, I э =1 мA50350
Граничная частота к-та усиленияf грU кэ =10 B, I э =1 мA250МГц
Постоянная времени ОСτ кU кб =10 B, I э =5 мA500пс
Входное сопротивление транзистораh 11эU кэ = 10 В, I к =1 мА40Ом
Выходная проводимостьY 11эU кэ = 10 В, I к =1 мА0,3мкСм
Ёмкость на коллекторном переходес кU кэ = 10 В7пФ

История устройства

Это был один из серии транзисторов, впервые произведенных по эпитаксиально-планарной технологии в Советском Союзе. Данный способ производства предусматривает последовательное изготовление всех частей изделия (коллектора, эмиттера и базы) на пластине кремния. Благодаря этому КТ315Г отличался, некоторое время после того как его начали выступать, отличными техническими характеристиками и дешевизной.

Первыми промышленными изделиями, сделанными с использованием КТ315, были транзисторные калькуляторы Электроника 68 и Электроника ДД. Разработчики этого устройства в 1973 году были награждены государственной премией СССР. Во времена советского союза, в 1970 году, его производство было передано в Польшу на завод Unitra CEMI. В начале 90-х годов прошлого века стал вытесняться КТ3102, который обладал лучшими усилительными свойствами и меньше шумел на низких частотах.

Аналоги

В качестве аналога КТ315Г рекомендуется отечественный транзистор КТ3102Г. Среди зарубежных также встречаются те которые подойдут для замены: 2SC388 и 2SC380. Комплементарная пара для КТ315Г — это КТ361Г.

Производители

На данный момент данный транзистор КТ315Г (скачать datasheet можно кликнув по ссылки) выпускает в России ЗАО «Кремний» расположенные в г. Брянск. В Белорусии его производством занимается ОАО «Интеграл». Продукцию обеих этих компаний можно встретить на отечественном рынке.

Источник

Leave a Reply

Your email address will not be published. Required fields are marked *