Задержка cas что это
Разница между скоростью ОЗУ и задержкой CAS
Производительность памяти (DRAM) — это соотношение между скоростью и задержкой. Несмотря на то, что они тесно связаны между собой, эта связь не совсем то, что вы могли бы подумать. Рассмотрим, как скорость и задержка (CAS Latency) связаны на техническом уровне и как вы можете использовать эту информацию для оптимизации производительности памяти.
Восприятие задержки и реальная латентность оперативной памяти
Восприятие
•Многие пользователи считают, что CAS Latency точно отражает реальную задержку.
•Многие пользователи также уверены в том, что, поскольку CAS-задержки увеличиваются с повышением скорости, часть скорости обнуляется.
Реальность
•Инженеры, специализирующиеся на полупроводниках, знают, что CAS-задержки неточно отражают производительность.
•Латентность ОЗУ точнее всего измеряется в наносекундах.
•По мере увеличения скорости задержки сокращаются или остаются примерно на том же уровне, т. е. более высокие скорости обеспечивают лучшую производительность.
Разница между восприятием задержки и реальной задержкой сводится к способу ее определения и измерения.
Парадокс задержки
Задержка часто понимается неправильно, потому что в брошюрах с продукцией и сравнительным характеристикам она обозначается как CAS Latency (CL), которая составляет лишь половину уравнения задержки. Поскольку номинальные данные CL указывают только общее количество тактовых циклов, они не имеют ничего общего с продолжительностью каждого тактового цикла и поэтому не должны экстраполироваться как единственный показатель производительности задержки.
Оценка задержки модулей в наносекундах позволяет определить, действительно ли один модуль откликается быстрее, чем другой. Чтобы вычислить задержку модуля, умножьте длительность тактового цикла на общее количество тактовых циклов. Эти данные указаны в официальной технической документации в спецификации модуля. Вот как выглядят эти расчеты.
Скорость модуля (МП/с)
Длительность цикла синхронизации (нс)
Что такое тайминги ОЗУ и уравнение задержки?
На базовом уровне задержка относится к разнице между вводом команды и ее выполнением. Тайминг (временная задержка) является промежутком между этими двумя событиями. Когда контроллер памяти направляет ей команду для доступа к определенному месту, данные должны пройти через несколько тактовых циклов в стробе адреса столбца (CAS), чтобы добраться до нужного местоположения и завершить команду. Исходя из этого, существует две переменные, которые определяют задержку модуля:
•Общее количество тактовых циклов, через которые должны пройти данные (указывается как CAS Latency или CL в спецификациях).
•Продолжительность каждого тактового цикла (измеренная в наносекундах).
Комбинация этих двух переменных позволяет нам получить уравнение задержки:
задержка (нс) = длительность тактового цикла (нс) x количество тактовых циклов
В истории технологии памяти по мере увеличения скорости длительность тактовых циклов уменьшалась. Это приводило к более низким задержкам по мере того, как технология взрослела, даже несмотря на то, что для этого требуется больше тактовых циклов. Поскольку скорости растут, а задержки остаются примерно на том же уровне, вы можете достичь более высокого уровня производительности, используя более новую, более быструю и энергоэффективную память.
На этом этапе обсуждения мы должны отметить, что, когда мы говорим, что «задержки остаются примерно на том же уровне», мы имеем в виду, что, например, за время развития от DDR3-1333 до DDR4-2666 задержки начинались с 13,5 нс и возвращались к 13,5 нс. Хотя есть несколько случаев, когда задержка увеличилась, но прирост измерялся в долях наносекунды. В этом диапазоне скорости увеличились более чем на 1300 МП/с, что фактически компенсирует любой незначительный прирост задержки.
Что важнее: скорость или латентность оперативной памяти?
Основываясь на глубоком инженерном анализе и обширном тестировании, проведенном в лаборатории испытаний производительности Crucial, ответ на этот извечный вопрос — скорость. В целом, по мере увеличения скоростей задержки оставались примерно на том же уровне, а значит, повышение скорости обеспечивает более высокий уровень производительности. Узнайте подробнее о совместимости памяти и других компонентов.
Оптимизируйте работу своего компьютера, установив память максимально возможного объема, использующую новейшую технологию памяти, и выбрав модули, скорость которых сопоставима с их экономичностью и актуальностью для приложений, которые вы используете.
© Корпорация Micron Technology, Inc., 2018. Все права защищены. Продукты, их технические характеристики, а также информация о них могут быть изменены без уведомления. Crucial и Micron Technology, Inc. не несут ответственности за ошибки и неточности в текстовых или фотографических материалах. Micron, логотип Micron, Crucial и логотип Crucial являются товарными знаками или зарегистрированными товарными знаками Micron Technology, Inc. Все остальные товарные знаки являются собственностью соответствующих владельцев.
Тайминги RAM: CAS, RAS, tRCD, tRP, tRAS с пояснениями
Оперативная память на самом деле является одним из наиболее важных компонентов компьютера, но когда дело доходит до решения о покупке, на нее редко вкладывают столько же усилий и усилий, сколько на другие компоненты. Обычно емкость — это единственное, что, кажется, волнует обычных потребителей, и хотя это оправданный подход, ОЗУ — это нечто большее, чем просто размер памяти, которую она хранит. Несколько важных факторов могут определять производительность и эффективность ОЗУ, и, вероятно, два из самых важных из них — это частота и время.
Частота ОЗУ — это довольно простое число, которое описывает тактовую частоту, на которую рассчитана работа ОЗУ. Он четко упоминается на страницах продуктов и следует простому правилу «чем выше, тем лучше». В настоящее время часто встречаются комплекты ОЗУ, рассчитанные на 3200 МГц, 3600 МГц, 4000 МГц или даже выше. Другая более сложная часть истории — это задержка или «тайминги» ОЗУ. Их гораздо сложнее понять и может быть непросто понять с первого взгляда. Давайте углубимся в то, что на самом деле такое тайминги RAM.
Что такое тайминги RAM?
Хотя частота является одним из наиболее разрекламированных показателей, тайминги ОЗУ также играют большую роль в общей производительности и стабильности ОЗУ. Тайминги измеряют задержку между различными общими операциями на микросхеме ОЗУ. Поскольку задержка — это задержка между операциями, она может серьезно повлиять на производительность ОЗУ, если она превысит определенный предел. Тайминги ОЗУ отражают внутреннюю задержку, которую может испытывать ОЗУ при выполнении различных операций.
Время RAM измеряется в тактах. Возможно, вы видели строку чисел, разделенных тире на странице продукта комплекта RAM, которая выглядит примерно как 16-18-18-38. Эти числа известны как тайминги набора RAM. По сути, поскольку они представляют задержку, чем меньше, тем лучше, когда дело доходит до таймингов. Эти четыре числа представляют так называемые «основные тайминги» и оказывают наиболее значительное влияние на задержку. Есть и другие суб-тайминги, но пока мы обсудим только первичные тайминги.
4 основных тайминга ОЗУ представлены следующим образом — Изображение: Tipsmake
Основные сроки
В любом списке продуктов или на фактической упаковке время указано в формате tCL-tRCD-tRP-tRAS, что соответствует 4 основным временам. Этот набор оказывает наибольшее влияние на фактическую задержку набора оперативной памяти и является точкой фокусировки при разгоне. Следовательно, порядок чисел в строке 16-18-18-38 сразу показывает нам, какое первичное время имеет какое значение.
Задержка CAS (tCL / CL / tCAS)
Задержка CAS — Изображение: MakeTechEasier
Задержка CAS — это наиболее важный основной момент времени, который определяется как количество циклов между отправкой адреса столбца в память и началом данных в ответ. Это наиболее часто сравниваемые и рекламируемые сроки. Это количество циклов, необходимое для чтения первого бита памяти из DRAM с уже открытой правильной строкой. Задержка CAS — это точное число, в отличие от других чисел, которые представляют собой минимумы. Этот номер должен быть согласован между памятью и контроллером памяти.
По сути, задержка CAS — это время, необходимое памяти для ответа ЦП. При обсуждении CAS необходимо учитывать еще один фактор, поскольку CL нельзя рассматривать отдельно. Мы должны использовать формулу, которая преобразует рейтинг CL в фактическое время, выраженное в наносекундах, которое основано на скорости передачи данных RAM. Формула: (CL / скорость передачи) x 2000. Используя эту формулу, мы можем определить, что комплект RAM, работающий на частоте 3200 МГц с CL16, будет иметь фактическую задержку 10 нс. Теперь это можно сравнить с наборами с разными частотами и таймингами.
Задержка RAS в CAS (tRCD)
Задержка RAS в CAS — Изображение: MakeTechEasier
RAS в CAS — это потенциальная задержка для операций чтения / записи. Поскольку модули RAM используют сеточную структуру для адресации, пересечение номеров строк и столбцов указывает конкретный адрес памяти. tRCD — это минимальное количество тактов, необходимое для открытия строки и доступа к столбцу. Время, необходимое для чтения первого бита памяти из DRAM без какой-либо активной строки, приведет к дополнительным задержкам в виде tRCD + CL.
tRCD можно рассматривать как минимальное время, необходимое ОЗУ для перехода к новому адресу.
Время предварительной зарядки ряда (tRP)
Время предварительной зарядки строки — Изображение: MakeTechEasier
В случае открытия неправильной строки (это называется пропуском страницы), строка должна быть закрыта (так называемая предварительная зарядка), а следующая должна быть открыта. Только после этой предварительной зарядки можно получить доступ к столбцу в следующей строке. Следовательно, общее время увеличивается до tRP + tRCD + CL.
Технически он измеряет задержку между выдачей команды предварительной зарядки для ожидания или закрытия одной строки и активацией команды для открытия другой строки. tRP идентичен второму числу tRCD, поскольку одни и те же факторы влияют на задержку в обеих операциях.
Время активности строки (tRAS)
Время активности строки — Изображение: MakeTechEasier
Также известное как «Задержка активации до предварительной зарядки» или «Минимальное время активности RAS», tRAS — это минимальное количество тактов, требуемых между активной командой строки и выдачей команды предварительной зарядки. Это совпадает с tRCD, и это просто tRCD + CL в модулях SDRAM. В остальных случаях это примерно tRCD + 2xCL.
tRAS измеряет минимальное количество циклов, которое строка должна оставаться открытой для правильной записи данных.
Командная скорость (CR / CMD / CPC / tCPD)
Также есть определенный суффикс –T, который часто можно увидеть при разгоне и который обозначает командную скорость. AMD определяет Command Rate как количество времени в циклах между выбором микросхемы DRAM и выполнением команды. Это либо 1T, либо 2T, где 2T CR может быть очень полезным для стабильности при более высоких тактовых частотах памяти или для конфигураций с 4 модулями DIMM.
CR иногда также называют командным периодом. В то время как 1T быстрее, 2T может быть более стабильным в определенных сценариях. Он также измеряется в тактах, как и другие тайминги памяти, несмотря на уникальное обозначение –T. Разница в производительности между ними незначительна.
Влияние более низкого тайминга памяти
Поскольку тайминги обычно соответствуют задержке набора RAM, более низкие тайминги лучше, поскольку это означает меньшую задержку между различными операциями RAM. Как и в случае с частотой, существует точка уменьшения отдачи, когда улучшение времени отклика будет в значительной степени сдерживаться скоростью других компонентов, таких как ЦП или общей тактовой частотой самой памяти. Не говоря уже о том, что снижение таймингов определенной модели ОЗУ может потребовать от производителя дополнительного биннинга, что, в свою очередь, приведет к снижению урожайности и более высокой стоимости.
Хотя в разумных пределах, более низкие тайминги RAM обычно улучшают производительность RAM. Как мы видим в следующих тестах, более низкие общие тайминги (и, в частности, задержка CAS) действительно приводят к улучшению, по крайней мере, с точки зрения чисел на графике. Может ли улучшение восприниматься обычным пользователем во время игры или во время рендеринга сцены в Blender — это совсем другая история.
Влияние различных таймингов и частот ОЗУ на время рендеринга в Corona Benchmark — Изображение: TechSpot
Точка убывающей доходности быстро устанавливается, особенно если мы опускаемся ниже CL15. На этом этапе, как правило, время и задержка не являются факторами, сдерживающими производительность ОЗУ. Другие факторы, такие как частота, конфигурация ОЗУ, возможности ОЗУ материнской платы и даже напряжение ОЗУ, могут быть задействованы в определении производительности ОЗУ, если задержка достигает точки убывающей отдачи.
Время и частота
Частота и тайминги ОЗУ взаимосвязаны. Просто невозможно получить лучшее из обоих миров в массовых потребительских наборах RAM. Как правило, по мере увеличения номинальной частоты комплекта RAM тайминги становятся более слабыми (тайминги увеличиваются), чтобы несколько компенсировать это. Частота, как правило, немного перевешивает влияние таймингов, но бывают случаи, когда доплачивать за высокочастотный комплект RAM просто не имеет смысла, поскольку тайминги становятся слабее, а общая производительность страдает.
Хорошим примером этого являются споры между ОЗУ DDR4 3200 МГц CL16 и ОЗУ DDR4 3600 МГц CL18. На первый взгляд может показаться, что комплект 3600Mhz быстрее и тайминги не намного хуже. Однако, если мы применим ту же формулу, которую мы обсуждали при объяснении задержки CAS, история принимает другой оборот. Ввод значений в формулу: (CL / Скорость передачи) x 2000 для обоих комплектов RAM дает результат, что оба комплекта RAM имеют одинаковую реальную задержку 10 нс. Хотя да, существуют и другие различия в субтимингах и способе настройки ОЗУ, но аналогичная общая скорость делает комплект 3600 МГц худшим из-за его более высокой цены.
Результаты тестов различных частот и задержек — Изображение: GamersNexus
Как и в случае с таймингом, мы довольно скоро достигаем точки уменьшения отдачи и с частотой. Как правило, для платформ AMD Ryzen DDR4 3600 МГц CL16 считается оптимальным выбором как по таймингу, так и по частоте. Если мы перейдем к более высокой частоте, такой как 4000 МГц, то не только ухудшатся тайминги, но даже поддержка материнской платы может стать проблемой для чипсетов среднего уровня, таких как B450. Мало того, что на Ryzen часы Infinity Fabric и часы контроллера памяти должны быть синхронизированы с частотой DRAM в соотношении 1: 1: 1 для достижения наилучших возможных результатов, а выход за пределы 3600 МГц нарушает эту синхронизацию. Это приводит к увеличению задержки, общей нестабильности и неэффективной частоте, что делает эти комплекты ОЗУ в целом плохим соотношением цены и качества. Как и в отношении таймингов, необходимо установить золотую середину, и лучше всего придерживаться разумных частот, таких как 3200 МГц или 3600 МГц, при более жестких временных интервалах, таких как CL16 или CL15.
Разгон
Разгон оперативной памяти — один из самых утомительных и вспыльчивых процессов, когда приходится возиться с компьютером. Энтузиасты вникали в этот процесс не только для того, чтобы выжать из своей системы все до последнего кусочка производительности, но и из-за проблем, связанных с этим процессом. Основное правило разгона оперативной памяти простое. Вы должны достичь максимально возможной частоты, сохраняя при этом одинаковые тайминги или даже сокращая тайминги, чтобы получить лучшее из обоих миров.
Оперативная память — один из самых чувствительных компонентов системы, и обычно ее не следует настраивать вручную. Поэтому производители оперативной памяти включают предустановленную функцию разгона, известную как «XMP» или «DOCP», в зависимости от платформы. Предполагается, что это будет предварительно протестированный и подтвержденный разгон, который пользователь может включить через BIOS, и чаще всего это самый оптимальный уровень производительности, который нужен пользователю.
Калькулятор DRAM для Ryzen от «1usmus» — фантастический инструмент для ручного разгона на платформах AMD.
Если вы действительно хотите разогнать оперативную память вручную, вам может помочь наше подробное руководство по разгону оперативной памяти. Тестирование стабильности при разгоне — самая сложная часть разгона оперативной памяти, поскольку для правильного выполнения может потребоваться много времени и много сбоев. Тем не менее, эта задача может быть хорошим опытом для энтузиастов, а также может привести к некоторому приросту производительности.
Заключительные слова
ОЗУ, безусловно, является одним из наиболее недооцененных компонентов системы, который может существенно повлиять на производительность и общую скорость отклика системы. Тайминги ОЗУ играют большую роль в этом, определяя задержку, которая присутствует между различными операциями с ОЗУ. Более сжатые тайминги, безусловно, приводят к повышению производительности, но есть точка уменьшения отдачи, которая затрудняет ручной разгон и ужесточение таймингов для минимального прироста производительности.
Достижение идеального баланса между частотой ОЗУ и таймингами при одновременном контроле стоимости ОЗУ — лучший способ принять решение о покупке. Наш выбор лучших комплектов оперативной памяти DDR4 в 2020 году может быть полезен при принятии обоснованного решения относительно вашего выбора оперативной памяти.
СОДЕРЖАНИЕ
Фон работы RAM
Когда активная шина слов отсутствует, массив находится в режиме ожидания, а битовые линии удерживаются в предварительно заряженном состоянии с напряжением, находящимся на полпути между высоким и низким. Этот неопределенный сигнал отклоняется накопительным конденсатором в сторону высокого или низкого уровня, когда строка становится активной.
Чтобы получить доступ к памяти, сначала необходимо выбрать строку и загрузить ее в усилители считывания. Эта строка становится активной, и столбцы могут быть доступны для чтения или записи.
Влияние на скорость доступа к памяти
При использовании асинхронной DRAM к памяти обращался контроллер памяти на шине памяти на основе установленного времени, а не часов, и был отделен от системной шины. Однако синхронная DRAM имеет задержку CAS, которая зависит от тактовой частоты. Соответственно, задержка CAS модуля памяти SDRAM указывается в тактах, а не в абсолютном времени.
Поскольку задержки CAS современных модулей DRAM указываются в тактах часов, а не во времени, при сравнении задержек на разных тактовых частотах, задержки должны быть переведены в абсолютные времена, чтобы сделать справедливое сравнение; более высокая числовая задержка CAS может быть меньше времени, если часы быстрее. Аналогичным образом, для модуля памяти с пониженной тактовой частотой может быть уменьшено количество циклов задержки CAS, чтобы сохранить то же время задержки CAS.
ОЗУ с удвоенной скоростью передачи данных (DDR) выполняет две передачи за такт, и это обычно описывается этой скоростью передачи. Поскольку задержка CAS указывается в тактовых циклах, а не в передачах (которые происходят как на переднем, так и на заднем фронте тактового сигнала), важно убедиться, что именно тактовая частота (половина скорости передачи) используется для вычислить время задержки CAS.
В таблице ниже скорости передачи данных указаны в миллионах передач, также известных как мегатрансферы, в секунду (MT / s), а тактовые частоты указаны в МГц, миллионах циклов в секунду.
Как узнать тайминги оперативной памяти
Вы не раз наверное слышали фразу “тайминг оперативной памяти”, но что это за тайминги и что они означают и на что влияют, наверное только догадывались. В данной теме вы узнаете все про таиминги оперативной памяти, на что они влияют, и как их узнать. Здесь также есть инструкция, которая поэтапно показывает, как это значение можно изменить.
В этой статье вы узнаете:
Как работает оперативная память
Что такое тайминги в оперативной памяти, расшифровка
На что влияют тайминги
Как узнать тайминг оперативной памяти
Как настроить тайминги оперативной памяти
Как работает оперативная память
Ее функционирование тесно связано с CPU и информационными носителями. На сайте мы уже писали про оперативную память и как она работает. Данные с жесткого диска или другого накопителя первоначально попадают в оперативную память и только после их обрабатывает ЦП.
Структура оперативки похожа на таблицу, где сперва выбирается строчка, а после — столбец. Она делится на банки — ячейки SDRAM. Например, современные варианты DDR4 отличаются от DDR3 удвоенным числом банков. За счет растет производительность. Быстрота DDR4 достигает 25,6 ГБ/c, при этом шина может функционировать на 3200 МГц.
Что такое тайминги в оперативной памяти, расшифровка
Это значения, отражающие время, за которое обрабатываются данные. Показатели выглядят как три числа, идущие по порядку. Каждое число — временной отрезок, который измеряется в тактах шины.
Следует разобраться с аббревиатурами CAS и RAS. Последние две буквы означают Address Strobe — строб-сигнал адреса. Только в первом случае это про колонку (Column), а во втором — про строку (Row).
Что означают числа
CAS Latency
Один из самых значимых показателей: именно он говорит, сколько времени в целом уходит на поиск необходимых данных после того, как процессор попросит доступ на считывание.
RAS-CAS
Указывает на число тактов, которое занимает получение доступа к RAM и активации строки, а потом — колонки, которая содержит необходимое инфо, и команды на считывание данных или же их запись.
RAS Precharge
Поскольку ОЗУ — динамическая память, ее ячейки время от времени разряжаются и нуждаются в периодической перезарядке. По этой причине данные, которые содержатся в ней, обновляются. Это называется регенерацией ОЗУ.
Таким образом, показатель RAS Precharge в тактах отображает временной отрезок, проходящий между сигналом на зарядку — регенерацию ОЗУ — и разрешением на доступ к следующей строчке информации.
Row Active
Означает время, которое активна одна табличная строчка перед тем, как данные считаются или запишутся.
Примечание: в некоторых случаях может быть использован Command Rate. Он показывает, сколько времени тратится на инфообмен между RAM и ее контроллером. Как правило, это занимает один или два такта.
На что влияют тайминги
Если кратко — на скорость, с которой считывается информация, и быстроту инфообмена между планкой и процессором. Естественно, это воздействует и на быстроту функционирования компьютера в целом.
Чем ниже тайминг, тем выше производительность, тем скорее ЦП получает доступ к банкам.
Как узнать тайминг оперативной памяти
Узнать тайминг оперативки можно несколькими способами. Самый простой способ, это посмотрев на сам модуль ОЗУ. Обычно они прописаны на наклейке. Тайминги указываются числовыми значениями. Иногда на маркировке написана полная информация о латентности RAM, а в некоторых вариантах — только CL задержка. При необходимости все тайминги можно посмотреть на сайте изготовителя планки, вбив в поиск номер модели.
Совет: при замене или установке дополнительных модулей ОЗУ в систему рекомендуется ставить планки комплектом, например, 2 штуки по 8 Гб. Таким образом можно будет активировать двухканальный режим работы памяти, что ускорит всю систему. Но при этом важно, чтобы показатели обеих планок были идентичными. Благодаря этому удастся избежать конфликтов между устройствами, которые препятствуют стабильной работе компьютера.
Так же узнать тайминги можно с помощью специальных программ для анализа характеристик оборудования компьютера. Я расскажу о самых популярных программах для Windows 10, 8.1 и Windows 7, которые позволяют посмотреть тайминги и другие характеристики установленной оперативной памяти.
CPU-Z — самая популярная бесплатная программа для получения сведений об оперативной памяти
Если вам требуется компактная, простая, бесплатная и информативная утилита, позволяющая получить сведения об аппаратных характеристиках ПК или ноутбука, CPU-Z — ваш выбор.
В части определения таймингов оперативной памяти шаги будут следующими:
Перейдя на вкладку SPD можно получить сведения о поддерживаемых модулями оперативной памяти (отдельно для каждого модуля, выбирая нужный в поле «Slot») профилях, частотах и таймингах, а также дополнительную информацию, включая производителя и модель модуля RAM.
AIDA64 — больше информации и дополнительные возможности
Следующий вариант — использование AIDA64. Программа не бесплатная, но даже в бесплатной версии требуемую в рамках этой статьи информацию можно получить. Официальный сайт для загрузки AIDA64 — https://www.aida64.com/downloads
В AIDA64 присутствует несколько разделов, где можно получить информацию о таймингах оперативной памяти, как активных, так и в целом поддерживаемых планками RAM, укажу основные:
Текущие тайминги оперативной памяти можно посмотреть в разделе «Компьютер» — «Разгон».
Информацию о поддерживаемых таймингах каждого модуля можно получить в разделе «Системная плата» — «SPD». Раздел включает в себя и дополнительную информацию, в том числе — модели модулей RAM.
Если в главном меню открыть пункт «Сервис» — «AIDA64 CPUID», в разделе Memory Type вы также увидите текущую частоту и тайминги оперативной памяти.
Раздел меню «Сервис» — «Тест кэша и памяти» также отображает эту информацию и, дополнительно, позволяет провести тест памяти, определив один из ключевых показателей — латентность (Latency) или, иначе, задержку или скорость доступа к памяти в наносекундах: в тесте AIDA64 измеряется время от команды на чтение данных из RAM до получения этих данных процессором.
Выше приведены лишь самые популярные и достаточные для указанной цели программы, в действительности такого рода утилит существует больше. Например, можно отметить PassMark RAMMon, отображающую набор поддерживаемых и активных таймингов каждого установленного модуля и массу дополнительных сведений.
Существуют как более простые (например, Speccy), так и более сложные решения. Большинство программ определения характеристик компьютера умеют отображать тайминги ОЗУ.
Как настроить тайминги оперативной памяти
Как только пользователь установит планки и включит компьютер, БИОС автоматически узнает частотные показатели и тайминги. Однако смена настроек оперативы может положительно повлиять производительность лэптопа, ПК.
Подсистема предоставляет довольно широкие возможности для манипуляций с параметрами планок. Впрочем, число доступных для редактирования параметров ОЗУ может существенно отличаться для разных материнских плат, даже если их чипсеты идентичны.
По этому признаку их можно поделить на модели с:
Внимание! Менять значения лучше постепенно: по полшага за раз. Действовать необходимо осторожно, иначе можно повредить оперативу.
Как проверить работу оперативной памяти и настроить тайминги в БИОСе
Чем короче тайминги, тем лучше. Если изначально они не такие маленькие, как хотелось бы, их можно поменять, поколдовав немного в BIOS. Главное — делать все не спеша и после любой перемены проверять работоспособность.