_________________ Мудрость приходит вместе с импотенцией.
Приглашаем 9 декабря всех желающих посетить вебинар, посвященный технологии Ethernet и её новому стандарту 10BASE-T1S/L. Стандарт 802.3cg описывает передачу данных на скорости до 10 Мбит в секунду по одной витой паре. На вебинаре будут рассмотрены и другие новшества, которые недавно вошли в семейство технологий Ethernet: Synchronous Ethernet (SyncE), Precision Time Protocol (PTP), Time Sensitive Networking (TSN). Не останется в стороне и высокоскоростной 25G+ Ethernet от Microchip.
Внедрение автоматизированных систем контроля и учета всех видов энергоресурсов, невозможно без инструментов, позволяющих помимо измерения параметров, преобразовывать их для обработки цифровыми интеллектуальными системами. Микросхемы STPM32, STPM33 и STPM34 STMicroelectronics являются наиболее точными и высокопроизводительными представителями своего семейства и способны максимально точно измерять параметры электросети в системах электроснабжения переменного тока, а также осуществлять их первичную обработку. Рассмотрим подробнее их преимущества и средства разработки.
sanek546
Встал на лапы
Зарегистрирован: Чт мар 03, 2011 08:04:10 Сообщений: 145 Откуда: Томск Рейтинг сообщения: 0
Что имею сейчас. Если в нагрузке стоит только резистор на 220 Ом, то на выходе как и положено 13.2В. Ни что не нагревается, или как минимум не успевает нагреться за 10сек. Если попробовать подключить на выход еще хотябы 2 лампочки 12Vх21W то напряжение на выходе падает до примерно 1.5В, греется транзистор. Дольше 10 секунд так держать побоялся. Если убрать цепочку R13 C5 то при подключении тех же двух лампочек сразу наступает конец света. А именно мрут: U1 Q1 R8, R9, D3 R10, R11 D1, D2 (стабилитрон 15V, на картинке плохо видно), R7 R22 На всякий случай после бабаха менял и оптопару.
Само собой чтобы хоть что-нибудь понять надо снять осциллограммы. Где? Видимо на горячей стороне с затвора, стока и истока. Делать это надо будет конечно же при установленных R13 C5, т.к. в этом случае ключ выживает хотя бы какое-то время. Но ведь при этом у меня ИИП будет работать на «холостом» ходу, т.к. в нагрузке только резистор 220 Ом (под нагрузкой напряжение на выходе падает до ужаса). Т.е. нормального рабочего режима увидеть не получится, ШИМка будет пропускать циклы и никакого постоянства не будет. Не страшно?
В общем подскажите пожалуйста с чего начать исследования?
Добавлено. Диод на выходе MBR20100, забыл подписать.
Последний раз редактировалось dmq Пт ноя 11, 2011 18:20:30, всего редактировалось 1 раз.
_________________ Мудрость приходит вместе с импотенцией.
sanek546
Встал на лапы
Зарегистрирован: Чт мар 03, 2011 08:04:10 Сообщений: 145 Откуда: Томск Рейтинг сообщения: 0
_________________ Лучшее враг хорошего.
sanek546
Встал на лапы
Зарегистрирован: Чт мар 03, 2011 08:04:10 Сообщений: 145 Откуда: Томск Рейтинг сообщения: 0
Опишу примерный механизм сгорания радиоэлементов. По причине описанной выше, транзистор пробивается высоким напряжением, далее одновременно потенциал стока прикладывается к затвору транзистора, вследствие чего вылетает R8, R9, D3, U1 и через пробитый транзистор течет неконтролируемый ток, который выводит из строя датчик тока R10. По этой же причине (высогого напряжения на стоке) в соответствии с коэффициентом трансформации поднимается напряжение на обмотке питания (да и на вторичке тоже), что приводит к порче элементов обмотки питания.
_________________ Лучшее враг хорошего.
sanek546
Встал на лапы
Зарегистрирован: Чт мар 03, 2011 08:04:10 Сообщений: 145 Откуда: Томск Рейтинг сообщения: 0
Всем доброго времени суток! Подскажите, какой максимальной длины можно создавать зазор между половинками Ш-образного ферритового сердечника в зависимости от геометрических параметров (длина магнитной линии, периметр центрального керна и т.д.)? Может, есть какие то рекомендации или правила?
В поиске решения мне попадались рекомендации рода «зазор желательно не более 1/30 длины магнитной линии» или «зазор не больше 1/4 ширины центрального керна» и т.п., из которых также неясно, как быть в случае, если зазор делится пополам между центром и боковыми половинками.
В общем, посоветуйте, как быть
это правило распространяется на полный зазор. при делении зазора на 2 стороны для каждой стороны получаем не более 1/60 длины магнитной линии.
зазор не для трансформатора, а для дросселя корректора коэффициента мощности;
прокладка должна тогда быть 2 мм, так как зазор делится на две стороны. если по этому правилу, то 4 мм многовато для магнитной линии 106 мм. нужно пробовать. две Е половинки только дают выигрыш в площади окна, больше ни в чем. число витков будет то же самое. какие у тебя исходные данные для расчета дросселя? мне нужны индуктивность и максимальный ток. дай, я пересчитаю в своей программе.
1) Старичок, дроссель нужен 508 мкГн с максимальным током 4,45 А; я насчитал для зазора 4,22 мм (два кусочка стекла по 2,11 мм (ну так, из того что под рукой)), что витков нужно будет 78, а индукция составит 0,244 Тл; соответственно, такой зазор составит 1/25 длины магнитной линии (106 мм); площадь поперечного сечения 1,19 см 2 (как у EI-33).
2) уж не знаю, 0,244 Тл для (предположительно) РС40 много или мало, но если делать на меньшую индуктивность, зазор получается просто огромным (для всё тех же 2-х половинок EI-33); если же можно хотя бы до 0,27-0,28 Тл, то зазор будет порядка 3,5 мм (суммарный)
3) к слову, длину магнитной линии посчитал из отношения индуктивностей пробных обмоток (по 25 витков) на EI-33 и на сердечнике из 2-х Е-половинок от EI-33. зазор определял по уравнению удельной индуктивности от длины зазора (позаимствовано из даташита TDK), найденного по опытным значениям индуктивности при разных зазорах.
4) я потому так и сделал, что в обычный EI-33 у меня обмотка, скорее всего, не влезет (или влезет, но с плотностью тока больше 10 А/см 2 )
индукцию можно взять больше, до 0,3 Т. но это при условии, что максимальный ток не окажется больше указанной величины. но еще не мешало бы сделать запас, так как выход в режим будет происходить при более высоком токе, чем в рабочем режиме. что-то у тебя не так получилось. для зазора 4,22 мм у меня получается 90 витков. можешь попробовать намотать так: 1 вариант. полный зазор 2 мм, амплитуда тока 4,5 А, число витков 68, амплитуда индукции 0,284 Т. 2 вариант. полный зазор 3 мм, амплитуда тока 4,5 А, число витков 80, амплитуда индукции 0,245 Т.
Сразу вопрос: почему предлагается проводник в качестве прокладки? Ведь поимеем дополнительное снижение индуктивности за счет КЗ витка.
число витков я считал по формуле из книги А. Прессмана «Switching Power Supply Design» N=L*Imax*10 4 /(Bmax*Ae), по ней, число витков точно совпадает с посчитанными вами; НО, для вычисления зазора я использовал не формулу с поправочными коэффициентами, а, как я уже упоминал, по вот такому графику (из даташита TDK)
то есть, измерял индуктивность пробной обмотки при разных величинах зазора, вычислил удельную индуктивность и построил график AL от длины зазора, затем попросил эксель построить степенную линию тренда с уравнением кривой, получил её со степенью аппроксимации 0,999 и в двойных логарифмических координатах получил аналогичный вышеприведенному график.
Затем, по известным в вариантах 1 и 2 количеству витков определил удельную индуктивность и зазоры им соответствующие. В итоге, зазоры получились в первом случае не 2 мм, а 3,75 мм, а во втором случае не 3 мм, а 6,1 мм
Андрей, возможно распределенный зазор работает иначе, чем в центральном керне. для ЕI же в 3 местах зазор получается. дай мне этот документ от TDK. есть ли там такие же графики для сердечников с центральным зазором?
